在不低于幾百伏的較高電壓下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個位...在不低于幾百伏的較高電壓下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個位置的有力競爭產(chǎn)品，它們的數(shù)據(jù)資料中通常標(biāo)明特定額定電壓、結(jié)溫和柵極驅(qū)動電壓下的...
在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這...在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率，尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時。在需要電流隔離的應(yīng)用中，也可使用...
此經(jīng)典電路優(yōu)點比較明顯，電路結(jié)構(gòu)簡單、極低干擾噪聲、穩(wěn)定性好；同時此電路也...此經(jīng)典電路優(yōu)點比較明顯，電路結(jié)構(gòu)簡單、極低干擾噪聲、穩(wěn)定性好；同時此電路也有缺點，輸入交流電范圍窄（一般是220VAC±5%），體積重量大；雖然此電路缺點明顯目...
電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流...電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就...
KPD8610A使用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(ON)和柵電荷,用于廣泛的其他應(yīng)...KPD8610A使用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(ON)和柵電荷,用于廣泛的其他應(yīng)用。KPD8610A滿足RoHS和綠色產(chǎn)品的要求，100%的EAS保證了完全的功能可靠性。
