MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻，縮寫(xiě)為R DS （on）。...MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻，縮寫(xiě)為R DS （on）。這個(gè)R DS （on）的想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單：當(dāng)FET截止時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高 ...
圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個(gè)不同di/dt速率上測(cè)得的輸出電...圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個(gè)不同di/dt速率上測(cè)得的輸出電荷和反向恢復(fù)電荷，這代表了一個(gè)事物的兩個(gè)方面。在左側(cè)，Qrr在360A/μs時(shí)測(cè)得的值為...
所有半導(dǎo)體器件都具有一定的最大反向電壓額定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高...所有半導(dǎo)體器件都具有一定的最大反向電壓額定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高于此閾值的操作將導(dǎo)致反向偏置 pn 結(jié)中的高電場(chǎng)。由于碰撞電離，高電場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生電子-空...
如果電源電壓上升緩慢并且有噪聲，或者如果電源本身具有電阻（如電池中的電阻）...如果電源電壓上升緩慢并且有噪聲，或者如果電源本身具有電阻（如電池中的電阻），導(dǎo)致電壓隨負(fù)載電流下降，那么當(dāng)比較器輸入超過(guò)其UVLO閾值時(shí)，比較器的輸出將在高...
無(wú)需編程的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器包括內(nèi)置的控制換向算法，因此無(wú)需進(jìn)行電機(jī)控制軟件的開(kāi)發(fā)...無(wú)需編程的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器包括內(nèi)置的控制換向算法，因此無(wú)需進(jìn)行電機(jī)控制軟件的開(kāi)發(fā)、維護(hù)和認(rèn)證。這些電機(jī)驅(qū)動(dòng)器通常從電機(jī)獲取反饋（例如霍爾信號(hào)或電機(jī)相位電壓和電...
