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高壓MOS管 9N90 9A/900V PDF資料及封裝-MOS管原廠 免費(fèi)送樣-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-01-07 

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高壓MOS管9N90產(chǎn)品介紹

此功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS工藝生產(chǎn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少通態(tài)電阻,提供卓越的開關(guān)性能好,可承受雪崩和換相模式下的高能脈沖適用于高效率開關(guān)電源,有功功率因數(shù)校正基于半橋拓?fù)洹?/span>


高壓MOS管9N90參數(shù)詳情

型號(hào):KIA9N90S/KIA9N90H

工作方式:9A/900V

漏源極電壓:900V

排水電流:36A

柵源電壓:±30V

單脈沖雪崩能:900MJ

雪崩電流:9.0A

重復(fù)雪崩能:28MJ

峰值二極管恢復(fù):4.0V/ns

運(yùn)行和儲(chǔ)存溫度范圍:-55℃至+150℃


高壓MOS管9N90產(chǎn)品特征

9A,900V

RDS(on)=1.12ωVGS=10V

低門電荷(典型的70納米)

低Crss(典型的14Pf)

快速切換

100%雪崩試驗(yàn)

改進(jìn)的數(shù)字視頻傳輸能力


高壓MOS管9N90封裝及引腳圖

1、KIA9N90S

高壓MOS管,9N90,9A/900V


2、KIA9N90H

高壓MOS管,9N90,9A/900V


高壓MOS管9N90附件

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1、KIA9N90S

高壓MOS管,9N90,9A/900V


2、KIA9N90H

高壓MOS管,9N90,9A/900V


KIA封裝工藝

高壓MOS管,9N90,9A/900V



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