大電流場效應管型號 大功率MOS管型號封裝大全-原廠正品推薦-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-02-22
在了解大電流場效應管型號之前，我們來了解一下場效應管知識，它主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。
由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，又稱單極型晶體管。
1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效應管可以用作可變電阻。
4.場效應管可以方便地用作恒流源。
5.場效應管可以用作電子開關。
1、交流/直流電源的同步整流
2、直流電機驅動
3、逆變器
4、電池充電器和電池保護電路
5、36V-96V系統(tǒng)中的馬達控制
6、隔離的直流-直流轉換器
7、不間斷電源
以下為KIA半導體大電流場效應管型號（部分），需咨詢更多型號請聯(lián)系我們,我們將竭誠為您服務！
KIA半導體是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產和銷售為一體的國家高新技術企業(yè)。
KIA半導體也執(zhí)行的全面質量管理體系，是將所有產品質量從芯片設計開始，一直貫徹到客戶使用的全過程質量跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質量控制體系下生產的產品，在相關環(huán)節(jié)的質量狀態(tài)和信息都是有效控制，確保提供給客戶的產品是安全可靠的。
由于功率MOSFET熱穩(wěn)定性好，故比雙極型晶體管并聯(lián)連接簡單。可是并聯(lián)連接MOSFET用于高速開關則末必簡單，從現(xiàn)象看并聯(lián)連接會發(fā)生以下兩個問題：
1） 電流會集中某一個器件中。
2 ） 寄生振蕩。
并聯(lián)連接方面的問題
參數(shù)
Lo：柵、導線電感
LD：漏、導線電感
LS：源、導線電感
Cmi：密勒電容
CGS：柵、源間電源
ra：柵、電阻（多晶硅）
（1）電流會集到某一個器件中
這是由于并聯(lián)連接的器件中的某一個器件早于或遲于其它器件導通或斷開而引起的。導通、斷開的時刻差異是由于器件間的閾值電壓和正向傳輸導納等參數(shù)的差別而引起。圖1表明把具有不同VGS（th）和 g.f .s 的功率MOSFET并聯(lián)銜接時發(fā)生電流不平衡的一個比如。
驅動級的輸出阻抗大的時候，電流不平衡的發(fā)生時刻由功率MOSFET的輸入電容Ciss而決議。另外，并聯(lián)連接的全部器件導通之后，流到各器件的電流與Rds（on）成反比 。
( 2 ） 寄生振蕩
如把功率MOSFET的柵極直接并聯(lián)銜接，就常常發(fā)生寄生振蕩。如圖2所示，經過各個器件的漏、柵間電容（ 密勒電容 ）和柵極引線電感構成諧振電路 。關于這個諧振電路的Q，也即電抗器 （ L 、C ） 對電阻之比 （Q = i∞/ R ） 非常大，簡單發(fā)生寄生振蕩。
從以下兩個方面采取辦法 ：
1)器材的挑選
2)裝置上的考慮
( 1） 把功率MOSFET用作開關器件時，無須過于慎重考慮，由于功率MOSFET的最大脈沖電流允許為直流額定值的 3-4倍，只需極力縮小驅動級的輸出阻抗就行．把功率MOSFET用在線性電路時，只挑選同一批產品是不行的 ，與雙極型晶體管一樣外加源電阻使之平衡是很有必要的．
( 2 ）裝置辦法
選用低電感布線是當然的，但在并聯(lián)連接中僅用銅板是不行的 ，由于因公共阻擾發(fā)生的 電壓使柵、源間電壓不能平衡，為了防止這點，并聯(lián)連接的各個器件應是徹底持平的布線，應如圖3那樣用對稱的布線 ，但因裝置上的約束，不行能用對稱布錢時，這時同軸的（多股絞合線、帶狀線 ） 布線也是很有用的。如圖4那樣，經過薄的絕緣膜把銅板制成的漏和源的布線。
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