mos管的特點(diǎn)及特性-MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)等詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-07-15
mos管的特點(diǎn)是什么？MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件；和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。
場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。
MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
有的MOSFET內(nèi)部會有個(gè)二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。
關(guān)于寄生二極管的作用，有兩種解釋：
1、MOSFET 的寄生二極管，作用是防止 VDD 過壓的情況下，燒壞 MOS 管，因?yàn)樵谶^壓對 MOS 管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免 MOS 管被燒壞。
2、防止 MOS 管的源極和漏極反接時(shí)燒壞 MOS 管，也可以在電路有反向感生電壓時(shí)，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。
MOSFET 具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。
MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。
IGBT 的理想等效電路如下圖所示，IGBT 實(shí)際就是 MOSFET 和晶體管三極管的組合，MOSFET 存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但 IGBT 克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí) IGBT 仍具有較低的導(dǎo)通電阻。
另外，相似功率容量的 IGBT 和 MOSFET，IGBT 的速度可能會慢于 MOSFET，因?yàn)?IGBT 存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，由于 IGBT 關(guān)斷拖尾時(shí)間長，死區(qū)時(shí)間也要加長，從而會影響開關(guān)頻率。
1、導(dǎo)通特性
導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。Vgs滿足一定條件就會導(dǎo)通。
2、損失特性
導(dǎo)通后均有導(dǎo)通電阻存在，電流就會被電阻消耗能量，這部分叫做導(dǎo)通損耗；小功率的管子導(dǎo)通電阻一般幾毫歐幾十毫歐，Vgs電壓不一樣電阻也不一樣。管子在導(dǎo)通和截止時(shí)，兩端電壓有個(gè)降落過程，電流有個(gè)上升過程，在這段時(shí)間內(nèi)管子的損失是電壓和電流的乘積，稱之為開關(guān)損失；通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大很多，頻率越快，損失越大。縮短開關(guān)時(shí)間，降低開關(guān)頻率均能減小開關(guān)損失。
3、寄生電容驅(qū)動特性
GS GD之間存在寄生電容，MOS管的驅(qū)動理論上是對電容的充放電；對電容的充電需要一個(gè)電流，由于電容充電瞬間可以看成短路，所以瞬間電流會比較大，所以選型時(shí)需要注意抗沖擊電流大小。
4、寄生二極管
漏極源極之間有個(gè)寄生二極管也叫做體二極管，在感性負(fù)載（馬達(dá)繼電器）應(yīng)用中，主要用來保護(hù)回路。不過體二極管只在單個(gè)MOS管中，集成芯片中是沒有的。
5、轉(zhuǎn)移特性
場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性是指漏源電壓固定時(shí)，柵源電壓Vgs對漏極電流Id的控制特性；
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