MOS管版圖-多級CMOS版圖分析【收藏】-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-01-06
繪制NMOS管的步驟與PMOs管基本相同。不同的是NMOS是做在P型襯底上,要有一個(gè)N型注入層,這一層要覆蓋整個(gè)有源區(qū)。
同樣,為進(jìn)行源區(qū)和漏區(qū)的連接,要用金屬1畫兩個(gè)矩形,分別覆蓋源區(qū)和漏區(qū)上的接觸孔,覆蓋長度為0.1um。為進(jìn)行襯底連接,必須在襯底的有源區(qū)中間添加接觸孔,這個(gè)接觸孔每邊都被有源區(qū)覆蓋0.2um。
然后還要進(jìn)行P型注入,注入?yún)^(qū)覆蓋有源區(qū)0,3um,使得金屬1和P型襯底形成良好的歐姆接觸。畫出用于電源的金屬連線,布線完畢后的版圖如圖所示。
(a)PMOS管的版圖 (b)NMOS管的版圖
圖 MOS管的實(shí)際版圖
繼續(xù)進(jìn)行后面的工作以完成整個(gè)非門的繪制及繪制輸入、輸出。新建一個(gè)Ccll。將上面完成的兩個(gè)版圖復(fù)制到其中,并以多晶硅為基準(zhǔn)將兩圖對齊。然后,可以將任意一個(gè)版圖的多晶硅延長和另外一個(gè)的多晶硅相交。
多級CMOS版圖中，必有漏極（前級輸出）和柵極（后級輸入）相連，所以要先找到兩級間相連的部分。然后從已知的柵極開始，逐級分析。每一級的PUN和PDN一般靠的較近，如下圖，很容易區(qū)分。
在分析的過程中，仍然要注意從PUN和PDN中的簡單者開始。
例1. F=——(——(A+B)+AB)
例2. F=——(——(AB)·(A+B))
例3.半加器
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