場效應管的簡單分類：JFET與MOSFET

如何構建一個可以控制溝道電流的柵極（區(qū)）呢？

目前大致有兩種辦法，一種是用兩個相同的半導體構建柵區(qū)，這兩個柵區(qū)就像水龍頭的閥芯與閥座，所不同的是，閥座是固定的，而兩個柵區(qū)都是“挪動”的，即兩個柵區(qū)同時控制導電通道的寬窄大小從而控制流過通道的電流的大小，控制辦法是應用電場構成根本不導電的“耗盡區(qū)”，功用構造如圖1.9所示。這種構造的FET就是JFET(Junction gate FET)，由于溝道的不同，有N溝道JFET(NJFET)和P溝道JFET(PJFET)之分，其溝道分別為N型和P型半導體。N溝道JFET的構造簡圖如圖1.9所示，關于P溝道，只需求將N與P對調即可。

所謂“耗盡區(qū)”(Depletion Region)，就是兩個不同性質的半導體的分界面兩側左近的區(qū)域，由于電場的吸收作用，載流子（自在電子和空穴）分別被兩側的半導體區(qū)域“耗費”殆盡了。耗盡區(qū)根本個導電，屬于高阻區(qū)（電阻比擬高的區(qū)域）。

另一種比JFET想象提出稍微早一些但是工程理論卻略微遲一些的是下面的構造（圖1. 10）。柵極（區(qū)）由金屬板構成而不是半導體，徭要留意的是，無論是圖1.9還是圖1. 10，圖中的純黑區(qū)域是引線電極，是為了電極的引出而設的，即端電極，與之相連的才是功用電極，即實踐的柵極、漏極與源極，由于它們實踐上是一個區(qū)域，才有諸如“柵區(qū)”這樣的稱謂。

由于圖1. 10所示的這種構造與JFET相比，主要的區(qū)別是金屬層、氧化膜和“摻雜”的半導體，MOSFET的名字大致就是這樣來的。與JFET 一樣，由于導電溝道的不同，MOSFET也有N河道MOSFFET( NMOS)和P溝道MOS-FET(PMOS)兩類，其溝道分別為N型和P型半導體，圖1.10是N溝道JFET。關于P溝道，只需求將N與P對調即可。另外，PMOS和NMOS -般用于稱謂集成電路中的器件單元，在普通分立元件的電路中很少這樣稱謂，有時分PMOS也是功率MOSFET(Power MOSFET)的簡稱。

圖1. 10只是最初的構造，如今的功率MOSFET，其中金屬層和金屬酸化膜（氧化膜）曾經分別被多晶硅(Polysilicon)和Si0：（氧化膜）取代了，MOSFET稱號中的“M”(Metal)與“O”(Oxide)曾經名存實亡了。MOSET也稱為IGFET(In-sulated Gate Field Effect Transistor絕緣柵場效應晶體管)，這個稱號以今天的目光來看，更具有前瞻性，也更為適宜。

多晶硅并不是“導體”而是“半導體”，從這一點來看，JFET與MOSFET的區(qū)別經過一段時間的開展之后減小了，有點“異曲同工”的滋味。

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