NCE0106R參數,NCE0106R代換,場效應管KIA4610A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-12-13
VDS=100V，ID=6A
漏源電壓(Vdss)：100V
連續漏極電流(Id)：6A
功率(Pd)：3W
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@10V,5A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
KIA4610A是采用先進的高單元密度溝槽式N溝MOSFET，漏源擊穿電壓100V，漏極電流7.5A，RDS(on)=16mΩ(typ)@VGS=10V，以低柵極電荷提供出色的RDS(ON)，降低開關損耗、高效可靠，KIA4610A能夠代換NCE0106R型號，廣泛在開關、逆變器、電動工具、保護板應用領域熱銷，滿足RoHs和綠色產品的要求。KIA4610A 7.5A 100V SOP-8出色的封裝，散熱良好。
漏源電壓：100V
柵源電壓：±20A
漏電流連續：7.5A
脈沖漏極電流：40A
雪崩電流：18A
雪崩能量：16mJ
耗散功率：2.5W
漏源擊穿電壓：100V
柵極閾值電壓：2.5V
輸入電容：1930PF
輸出電容：245PF
開啟延遲時間：11.5ns
關斷延遲時間：42ns
上升時間：29ns
下降時間：18ns
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發創新，為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
