PD電源,mos管30v 85a,KNX3403B場效應管中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-01-25
PD電源熱銷MOS管KNX3403B是一種N溝道增強型功率Mosfet場效應晶體管，使用KIA的LVMosfet技術生產。KNX3403B經過改進的工藝和單元結構經過特別定制，漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，RDS（打開）典型值=4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能；KNX3403B廣泛應用于UPS、逆變器系統的電源管理。
KNX3403B 30v 85a參數場效應管封裝形式有TO-252、DFN5*6兩種選擇，便于安裝使用，KNX3403B場效應管還具有低柵極電荷、低Crss、快速切換、改進的dv/dt能力等特性，低Rds開啟以最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗，確保各種電源應用的性能穩定可靠。
漏源電壓：30V
漏極電流：85A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：156MJ
最大功耗：71W
柵極閾值電壓：2V
輸入電容：2200PF
輸出電容：270 PF
開通延遲時間：11nS
關斷延遲時間：140nS
上升時間：87ns
下降時間：82ns
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