4n60場效應管參數代換,開關電源適配器專用MOS管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-22
KIA4N60H N溝道增強型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如開關穩(wěn)壓器、開關轉換器、螺線管、電機驅動器、繼電器驅動器。
KIA4N60H場效應管漏源電壓600V，漏極電流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具備低柵極電荷（典型值為13.5nC）最小化開關損耗，高堅固性，快速切換能力，指定雪崩能量，改進的dv/dt能力，能夠穩(wěn)定可靠地工作，提供更高效的性能。KIA4N60H場效應管廣泛應用于LED、開關電源、適配器等領域，具有多種封裝形式：TO-251、252、262、220、220F可供選擇，方便安裝使用。
漏源電壓：600V
柵源電壓：±30A
漏電流連續(xù)：4.0A
脈沖漏極電流：16A
雪崩能量：180mJ
耗散功率：93/31/55W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：600V
溫度系數：0.6V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：500PF
輸出電容：45PF
上升時間：32ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
