反激式開關(guān)電源波形,mos管vds波形分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-06-21
反激拓?fù)潆娐返幕揪€路如下：
DC IN：市電經(jīng)過整流濾波后的直流輸入
Drive：控制芯片的驅(qū)動信號，控制Q1進(jìn)行ON/OFF
CS：控制芯片對Q1電流的采樣
AGND：初級側(cè)的地
DC OUT：輸出
GND：次級側(cè)的地
DCM（斷續(xù)）與CCM（連續(xù)）工作模式
（1）DCM與CCM模式的判斷依據(jù)
DCM和CCM的判斷，并非只是單純按照初級電流是否連續(xù)來進(jìn)行判斷，而是要根據(jù)初，次級的電流合成來判斷的。只要初，次級電流不是同時(shí)為零，那就是CCM模式。二如果存在初，次級電流同時(shí)為零的狀態(tài)，那就是DCM模式。如果是介于兩者之間的，就是BCM模式。
（2）兩種模式在波形上的區(qū)別
A.變壓器初級電流波形，DCM模式是三角波而CCM模式是梯形波。
B.次級整流管電流波形，同理，DCM模式是三角波而CCM模式是梯形波。
C.MOS管的Vds波形，DCM模式下，在下一個(gè)周期開通前，Vds會從Vin+Vf這個(gè)平臺降下來發(fā)生阻尼震蕩（Vf次級反射到原邊的電壓）；CCM模式下，在下一個(gè)周期開通前，Vds一直維持在Vin+Vf的平臺上。
因此可以很容易從波形上看出來反擊電源是工作在DCM還是CCM狀態(tài)。
MOS管開通與關(guān)斷瞬間的Vds波形分析
（1）DCM模式
A. 從上面MOS管的波形可以看出，在MOS關(guān)斷時(shí)，MOS上的尖峰電壓遠(yuǎn)超過Vin+Vf， 這是因?yàn)樽儔浩鞯某跫売新└蠰k，漏感的能量是不會通過磁芯耦合到次級的。
MOS在關(guān)斷的過程中，漏感的電流也是不能突變的，而漏感的電流變化也會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢， 這個(gè)感應(yīng)電動勢因?yàn)闊o法被次級耦合嵌位，所以電壓會沖得很高。
為了避免MOS管被這個(gè)尖峰電壓擊穿損壞，一般設(shè)計(jì)時(shí)會在初級側(cè)加上一個(gè)RCD吸收緩沖電路，把漏感的能量先存儲在電容(C)上，然后在通過電阻(R)消耗掉。
B. 當(dāng)變壓器次級電流降到零時(shí)，磁芯的能量已經(jīng)完全釋放了。那么因?yàn)榇渭壵鞴茈娏?降到了零，二極管也就自動截止了，次級相當(dāng)于開路狀態(tài)，輸出電壓不在發(fā)射到初級。
由于此時(shí)的MOS管上Vds電壓高于輸入電壓Vin，所以在電壓差的作用下，MOS管的 結(jié)電容和初級點(diǎn)感發(fā)生諧振。諧振電流給MOS管的結(jié)電容放電。
Vds電壓開始下降， 經(jīng)過1/4個(gè)諧振周期后又開始上升。由于RCD嵌位電路以及其他寄生電阻的存在，這 個(gè)振蕩時(shí)個(gè)阻尼振蕩，幅度會越來越小。
（2）CCM模式
在CCM模式下，MOS管關(guān)斷的尖峰與DCM中產(chǎn)生的原理是一樣的，只是少了后面的振蕩而已。
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