dcdcmos管選型,?40n20場效應(yīng)管參數(shù),代換,KIA40N20A?-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-08
KIA40N20A漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，具有快速切換、低電阻、低柵極電荷特性，符合RoHS，高效率低損耗、穩(wěn)定可靠，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、UPS DC-AC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和電機控制，還可以用于逆變電路、安防、拉桿音箱、無線充電器。封裝形式：TO-220、TO-3P。
漏源電壓：200V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：40A
脈沖漏極電流：120A
雪崩能量：800mJ
耗散功率：175W
熱電阻：62.5/W
漏源擊穿電壓：200V
溫度系數(shù)：0.2/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1560 PF
輸出電容：370 PF
上升時間：32 ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
