80v 80a代替,保護板mos管,KNB3308B場效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-10
KNB3308B是一款10-16串保護板專用MOS管，漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，RDS（ON）值僅為7.2mΩ，低導通電阻最大限度地減少導電損耗，最小化開關(guān)損耗，確保鋰電池保護板的性能穩(wěn)定可靠；此外，它還具有高雪崩電流，能夠應(yīng)對各種復雜的應(yīng)用場景，采用無鉛綠色設(shè)備，符合環(huán)保要求，在電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中，能夠有效地提供穩(wěn)定而高效的功率轉(zhuǎn)換，滿足不同需求；封裝形式：TO-263。
漏源極電壓：80V
漏極電流：80A
漏源通態(tài)電阻：7.2mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：320A
雪崩能量單脈沖：440MJ
最大功耗：210W
總柵極電荷：75nC
輸入電容：3650PF
輸出電容：420PF
開通延遲時間：21nS
關(guān)斷延遲時間：66nS
上升時間：64ns
下降時間：40ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
