pd電源mos管,9a900v場效應(yīng)管,KNF4890A參數(shù)中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-11-14
KNF4890A場效應(yīng)管采用專有新型平面技術(shù)，漏源電壓900V，漏極電流9.0A，低導(dǎo)通電阻RDS（ON）=1.2Ω，低柵極電荷，能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗；快速恢復(fù)體二極管，確保性能穩(wěn)定可靠，廣泛應(yīng)用于pc電源pd電源、適配器充電器、SMPS電源、LCD面板電源等領(lǐng)域；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：900V
漏極電流：9A
柵源電壓：±30V
雪崩能量單脈沖：580MJ
最大功耗：67W
總柵極電荷：48nC
輸入電容：2595PF
輸出電容：145PF
開通延遲時間：36nS
關(guān)斷延遲時間：136nS
上升時間：42ns
下降時間：48ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
