bms專用mos,2803mos管,30v150a,KNB2803S場效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-02-24
KNB2803S場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力、開關(guān)速度快；確保應(yīng)用系統(tǒng)的高效性、可靠性和安全性；2803mos管適用于逆變器、BMS、電源管理領(lǐng)域中，性能優(yōu)越；封裝形式：TO-263，散熱良好。
漏源電壓：30V
漏極電流：150A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：560A
雪崩能量單脈沖：552MJ
總功耗：125W
閾值電壓：1.5V
輸入電容：4555PF
輸出電容：476PF
反向傳輸電容：451PF
總柵極電荷：92nC
開通延遲時間：25nS
關(guān)斷延遲時間：90nS
上升時間：23ns
下降時間：38ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
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