20N50現(xiàn)貨供應商 KIA20N50 PDF 20N50參數(shù)詳細資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-01-19
KIA20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關(guān)應用，如高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。
產(chǎn)品型號：KIA 20N50
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續(xù)）（lD）：20A
耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃
工作溫度：+150/℃
擊穿電壓溫度：0.5V/℃
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz
上升時間：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω
封裝形式：TO-220F、TO-247、TO-3P
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v
Lowgate charge ( typical 70nC)
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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20N50（20A 500V） |
| 產(chǎn)品編號 | KIA20N50/C/HF/HH/HM |
| 產(chǎn)品工藝 |
kia20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關(guān)應用，如高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。 |
| 溝道 | N溝道MOSFET |
| 特征 |
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v Lowgate charge ( typical 70nC) 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高電壓，高速功率開關(guān)應用，如高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正 |
| 封裝形式 | TO-220F、TO-247、TO-3P |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| 廠家 | KIA 原廠家 |
| LOGO |
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| 網(wǎng)址 | m.hgfgfjk.cn |
| PDF總頁數(shù) | 總5頁數(shù) |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
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