KIA3710參數(shù)

功率MOSFET的設計采用溝槽布局為基礎的工藝。與不同來源的標準零件相比，提高了性能。MOSFET在開關(guān)穩(wěn)壓器的設計，應用開關(guān)變換器、電機、繼電器高功率和低柵極驅(qū)動的高功率雙極開關(guān)晶體管驅(qū)動器和驅(qū)動器功率。

特征

VDSS=100V,R DS(on) =18m?,I D =59A

超低電阻

動態(tài)分級

175°C工作溫度

快速切換

全額定雪崩

產(chǎn)品型號：KIA3710

工作方式：59A/100V

漏源電壓：100V

柵源電壓：±20V

脈沖漏極電流：240A

熱電阻：62℃/W

漏源擊穿電壓：100V

溫度系數(shù)：0.10V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：2990 PF

輸出電容：3000 PF

上升時間：60 ns

封裝形式：TO-220、TO-263

	KIA3710（59A/100V）
產(chǎn)品編號	KIA3710/B/Z/ZP
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	功率MOSFET的設計采用溝槽布局為基礎的工藝。與不同來源的標準零件相比，提高了性能。
產(chǎn)品特征	VDSS=100V,R DS(on) =18m?,I D =59A 超低電阻動態(tài)分級 175°C工作溫度快速切換全額定雪崩
適用范圍	MOSFET在開關(guān)穩(wěn)壓器的設計，應用開關(guān)變換器、電機、繼電器高功率和低柵極驅(qū)動的高功率雙極開關(guān)晶體管驅(qū)動器和驅(qū)動器功率。
封裝形式	TO-220、TO-263
PDF文件	【直接在線預覽】
LOGO
廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	m.hgfgfjk.cn