KIA10N65參數(shù)

KIA10N65 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設(shè)計用于高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用，如高效率開關(guān)電源用品，有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓撲。

KIA10N65特征

RDS(on) =0.65? @ V GS =10V

低柵極電荷（典型的48nc）

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt／dt能力

產(chǎn)品型號：KIA10N65

工作方式：10A/650V

漏源電壓：650V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：10A

脈沖漏極電流：40A

雪崩能量：709mJ

耗散功率：52W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：650V

溫度系數(shù)：0.7V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：1650 PF

輸出電容：1665 PF

上升時間：70 ns

封裝形式：TO-220F

	KIA10N65（10A 650V）
產(chǎn)品編號	KIA10N65/HF/HP
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	KIA10N65 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設(shè)計用于高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用，如高效率開關(guān)電源用品，有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓撲。
產(chǎn)品特征	RDS(on) =0.65? @ V GS =10V 低柵極電荷（典型的48nc）快速切換的能力雪崩能量改進的dt／dt能力
適用范圍	適用于高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用，如高效率開關(guān)電源用品，有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓撲。
封裝形式	TO-220F
PDF文件	【直接在線預(yù)覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	m.hgfgfjk.cn
PDF頁總數(shù)	總5頁