12N65現貨供應商 KIA12N65 12A/650V KIA12N65 PDF下載 -KIA官網
信息來源：本站 日期：2018-02-02
KIA12n65hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。
KIA12N65特征
RDS(on)=0.63?@ VGS = 10V
低柵極電荷（典型的52nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA12N65
工作方式：12A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：12.0*A
脈沖漏極電流：48.0*A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1850 PF
輸出電容：180 PF
上升時間：90 ns
封裝形式：TO-220F
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KIA12N65（12A 650V） |
| 產品編號 | KIA12N65/HF |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
KIA12n65hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器 |
| 產品特征 |
RDS(on) = 0.63?@ V GS = 10 V 低柵極電荷（典型的52nc） 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 | 適用于高速功率開關，開關電源等 |
| 封裝形式 | TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | m.hgfgfjk.cn |
| PDF總頁數 | 總5頁 |
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