8150原廠MOS管-KNF8150 30A/500V-KNF8150 PDF文件-KIA官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-02-15
特征
先進(jìn)的平面工藝
RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V
低門負(fù)責(zé)減少開關(guān)損耗
堅固的多晶硅柵結(jié)構(gòu)
應(yīng)用
無刷直流電機(jī)驅(qū)動
電焊機(jī)
高效開關(guān)電源
參數(shù)
產(chǎn)品型號：KIA8150
工作方式：30A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：30A
脈沖漏極電流：18A
雪崩能量：120A
耗散功率：333W
熱電阻：50℃/W
漏源擊穿電壓：500V
柵極閾值電壓：2.5V
輸入電容：4150 PF
輸出電容：500 PF
上升時間：114ns
封裝形式：TO-3P
 |
KNH8150 |
| 產(chǎn)品編號 | KNF8150（30A 500V） |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品特征 |
先進(jìn)的平面工藝 RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V 低門負(fù)責(zé)減少開關(guān)損耗 堅固的多晶硅柵結(jié)構(gòu) |
| 適用范圍 |
主要適用于無刷直流電機(jī)驅(qū)動、電焊機(jī)、高效開關(guān)電源 |
| 封裝形式 | TO-3P |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | m.hgfgfjk.cn |
| PDF頁總數(shù) | 總8頁 |
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