KIA原廠家mos管 KIA3302A 8A /20AV N溝道 PDF文件下載-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-03-12
KIA3302a采用先進的溝槽技術，提供優良的RDS（上），低柵極電荷柵極電壓為2.5V的低操作。本裝置適用于各種各樣的應用。
RDS(on) =3.9m? @ VDS =4.5V
大功率和電流處理功能
獲得無鉛產品
表面貼裝封裝
電池保護
負荷開關
電源管理
產品型號：KIA23P10A
工作方式：8A /20V
漏源電壓：20V
柵源電壓：±12V
漏電流連續：8A
脈沖漏極電流：340A
雪崩能量：340mJ
耗散功率：87W
漏源擊穿電壓：20V
柵極閾值電壓：0.5V
輸入電容：2800PF
輸出電容：353PF
上升時間：26ns
封裝形式：TO-251、TO-252
 |
KIA3302A |
| 產品編號 | KIA3302A 8A /20V |
| 產品工藝 |
KIA3302a采用先進的溝槽技術，提供優良的RDS（上），低柵極電荷柵極電壓為2.5V的低操作。本裝置適用于各種各樣的應用 |
| 產品特征 |
RDS(on) =3.9m? @ VDS =4.5V 大功率和電流處理功能 獲得無鉛產品 表面貼裝封裝 |
| 適用范圍 |
電池保護 負荷開關 電源管理 |
| 封裝形式 |
TO-251、TO-252 |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | m.hgfgfjk.cn |
| PDF總頁數 | 總5頁 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8029
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”。
關注「KIA半導體」，做優秀工程師！
長按二維碼識別關注
閱讀原文可一鍵關注+技術總匯
