如圖所示是負(fù)反饋方框圖，當(dāng)反饋信號(hào)UF相位和輸入信號(hào)Ui的相位相反時(shí)，它們混合...如圖所示是負(fù)反饋方框圖，當(dāng)反饋信號(hào)UF相位和輸入信號(hào)Ui的相位相反時(shí)，它們混合的結(jié)果是相減，結(jié)果凈輸入放大器的信號(hào)UI比輸入信號(hào)Ui要小，使放大器的輸出信號(hào)Uo...
電磁干擾（ElectroMagneticInterference，簡(jiǎn)稱EMI）是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨...電磁干擾（ElectroMagneticInterference，簡(jiǎn)稱EMI）是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)...
從充電方法的角度來看，電動(dòng)車有兩個(gè)主要組別。第一組包含混合動(dòng)力電動(dòng)車(HEV)...從充電方法的角度來看，電動(dòng)車有兩個(gè)主要組別。第一組包含混合動(dòng)力電動(dòng)車(HEV)和輕度混合動(dòng)力電動(dòng)車(MHEV)，它們通過一個(gè)內(nèi)燃機(jī)或再生制動(dòng)和能量回收給自己的電池...
相比于晶體管，MOSFET這個(gè)管子相對(duì)來說比較復(fù)雜，它的工作過程理解起來還是有一...相比于晶體管，MOSFET這個(gè)管子相對(duì)來說比較復(fù)雜，它的工作過程理解起來還是有一定難度的。那么這其中最難以理解的部分，可能還是MOS管開關(guān)損耗的理解。相比導(dǎo)通損...
在選擇IGBT驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)，很重要的一步就是計(jì)算IGBT所需要的最大驅(qū)動(dòng)電流，在不考...在選擇IGBT驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)，很重要的一步就是計(jì)算IGBT所需要的最大驅(qū)動(dòng)電流，在不考慮門極增加Cge電容的條件下，可以把IGBT驅(qū)動(dòng)環(huán)節(jié)簡(jiǎn)化為一個(gè)RLC電路，如下圖陰影部分...
如下圖一為傳統(tǒng)的次級(jí)整流電路，該電路使用快恢復(fù)或者肖特基二極管進(jìn)行整流，快...如下圖一為傳統(tǒng)的次級(jí)整流電路，該電路使用快恢復(fù)或者肖特基二極管進(jìn)行整流，快恢復(fù)二極管的VF一般為0.7V-1V，肖特基二極管的VF也有0.2V-0.3V，在電流比較大時(shí)，二...
