KIA2301是一款高效穩定的P溝MOSFET，漏源擊穿電壓20V，漏極電流為2.8A；極低RD...KIA2301是一款高效穩定的P溝MOSFET，漏源擊穿電壓20V，漏極電流為2.8A；極低RDS（on）的高密度單元設計，最大限度地減少導通損耗，提高了整機的能效；無鉛產品、堅...
ZVS電路主要由功率開關管、諧振電感、諧振電容、二極管等組成。 1.啟動過程：...ZVS電路主要由功率開關管、諧振電感、諧振電容、二極管等組成。 1.啟動過程：電源通過電阻使兩個開關管Q1和Q2導通，電流通過電感L1逐漸增加。由于兩個開關管的特...
MOS管的寄生參數是指在集成電路設計中，除MOS管基本電氣特性（如柵極電壓、漏極...MOS管的寄生參數是指在集成電路設計中，除MOS管基本電氣特性（如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等）外，由于制造工藝、封裝方式以及電路布局等因素而產生的額外參數...
觸摸延時開關電路是利用人體作為感應信號來控制場效應管的導通和關閉，并加入延...觸摸延時開關電路是利用人體作為感應信號來控制場效應管的導通和關閉，并加入延時電路從而實現延時開關功能。在工作時，觸碰觸摸電極，電路將導通，在延時所需時間...
電路由聲音拾取放大、光控電路、延時控制三部分組成。MIC、V1、R1、R2、R3、C1...電路由聲音拾取放大、光控電路、延時控制三部分組成。MIC、V1、R1、R2、R3、C1組成語音放大電路，RG、R6、R7、R8、V2等組成光控電路，V3、V4、VD1、C3、R9、K等組...
KIA3510AD場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，RDS（ON）值為9mΩ，低導通...KIA3510AD場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，RDS（ON）值為9mΩ，低導通電阻、低柵極電荷，最大限度地減少導通損耗，性能高效低耗；100%雪崩測試，穩定可靠...
