場效應管引見篇 場效應結晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））職稱...場效應管引見篇 場效應結晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））職稱場效應管。由少數載流子參加導熱，也稱為多極型結晶體管。它歸于電壓掌握型半超導體...
來自韓國科學技術學院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，...來自韓國科學技術學院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST）的團隊研發(fā)了一種用于場效應晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。
KCX3650A場效應管漏源電壓500V，漏極電流60A，導通電阻RDS（ON）50mΩ，采用先...KCX3650A場效應管漏源電壓500V，漏極電流60A，導通電阻RDS（ON）50mΩ，采用先進的端接方案來提供增強的電壓阻斷能力，而不會隨著時間的推移降低性能；堅固的高壓...
KIA65R300FS場效應管漏源電壓650V，漏極電流15A，導通電阻RDS（ON）0.27Ω，低...KIA65R300FS場效應管漏源電壓650V，漏極電流15A，導通電阻RDS（ON）0.27Ω，低柵極電荷（典型值43nC），高堅固性、快速切換確保電路高效穩(wěn)定，100%雪崩測試、改進...
KIA65R190FS場效應管漏源電壓650V，漏極電流20A，導通電阻RDS（ON）0.16Ω，低...KIA65R190FS場效應管漏源電壓650V，漏極電流20A，導通電阻RDS（ON）0.16Ω，低柵極電荷（典型值70nC），具有高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt功能增...
KIA12N65H場效應管漏源電壓650V，漏極電流12A，導通電阻RDS（ON）0.63Ω，高效...KIA12N65H場效應管漏源電壓650V，漏極電流12A，導通電阻RDS（ON）0.63Ω，高效低耗；低柵極電荷（典型值52nC），最小化開關損耗，快速切換能力在電路中能夠迅速響...
