本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假定芯片耗費的電流為2mA，30...本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假定芯片耗費的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會惹起芯片的發熱。驅動芯片的最大電...
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者...MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是能夠對調的，他們都...
(1)可以快速恢復，以滿足越來越高的速度需求。以開戰電源為例，采用雙極型晶體...(1)可以快速恢復，以滿足越來越高的速度需求。以開戰電源為例，采用雙極型晶體管n寸-速度能夠到達幾十千赫茲；運用MOSFET和ICBT時，速度能夠到達幾百千赫茲；而采...
MOSFET的中文稱號是金屬氧化物半導體場效應晶體管，也叫絕緣柵場效應晶體管，縮...MOSFET的中文稱號是金屬氧化物半導體場效應晶體管，也叫絕緣柵場效應晶體管，縮寫為MOSFET，簡稱MOS管。功率MOSFET是一類導電溝道槽結構特殊的場效應管，它是繼MO...
CMOS反相墨為CMOS邏輯電路的基本單元．在CMOS反相器中，p與n溝道晶體管的柵極銜...CMOS反相墨為CMOS邏輯電路的基本單元．在CMOS反相器中，p與n溝道晶體管的柵極銜接在一同，并作為此反相器的輸入端，而此二晶體管的漏極也連接在一同，并作為反相器...
CMOS反相器，上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連，兩種器件皆為加強型MOSFET；...CMOS反相器，上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連，兩種器件皆為加強型MOSFET；對PMOS器件而言，閾值電壓VTn小于零，而對NMOS器件而言，閾值電壓VTn大于零（通常閾...
