8n60場效應管參數(shù),8n60場效應管引腳圖,8n60參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-28
KIA8N60是一種高壓MOSFET，設計具有更好的特性，如快速開關(guān)時間、低柵極電荷、低導通狀態(tài)電阻，并具有高的崎嶇雪崩特性。8N60通常用于電源、PWM電機控制、高效DC-DC轉(zhuǎn)換器和橋接電路中的高速開關(guān)應用。
KIA8N60場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流7.5A，使其在高壓環(huán)境下發(fā)揮穩(wěn)定而強大的作用，其RDS（開）值僅為0.98Ω，在輸入電壓為10V時表現(xiàn)突出，具有良好的導通性能；超低柵極電荷僅為29nC，展現(xiàn)出快速切換的能力，使其在開關(guān)電源、LED驅(qū)動領(lǐng)域有著廣泛的應用前景。KIA8N60能夠替代仙童、UTC等品牌8N60型號場效應管進行使用，封裝形式： TO-220、220F。
KIA8N60場效應管經(jīng)過雪崩能量測試，展現(xiàn)出了出色的穩(wěn)定性和可靠性，適用于各種惡劣環(huán)境條件下的工作。其改進的dv/dt能力為其在高速切換過程中提供了保障，使其能夠穩(wěn)定而高效地工作，為設備的高效運行提供強有力的支持。
漏源電壓：600V
漏極電流：7.5A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：0.98Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：30A
最大功耗：147/48W
輸入電容：1000PF
輸出電容：110PF
反向傳輸電容：12PF
開通延遲時間：20nS
關(guān)斷延遲時間：80nS
上升時間：50ns
下降時間：70ns
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