開關電源MOS管,LED驅動,KNX4660A參數(shù)7n60代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-29
KNX4660A溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。
KNX4660A場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流7A，使其在高壓環(huán)境下發(fā)揮穩(wěn)定而強大的作用，RDS（ON），典型值=1.0Ω@VGS=10V，具有良好的導通性能；符合RoHS標準、低柵極電荷最小化開關損耗、快速恢復體二極管等特性使其在開關電源、LED驅動領域有著廣泛的應用前景。
KNX4660A能夠替代仙童、UTC等品牌7N60型號場效應管進行使用，封裝形式： TO-220、220F，具備出色的穩(wěn)定性和可靠性，廣泛應用于適配器、充電器、SMPS備用電源等設備中。
漏源電壓：600V
漏極電流：7.0A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：1.0Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：28A
雪崩能量單脈沖：550MJ
最大功耗：42/128W
輸入電容：1120PF
輸出電容：90PF
反向傳輸電容：10PF
開通延遲時間：10nS
關斷延遲時間：17nS
上升時間：11ns
下降時間：10ns
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