10N60現(xiàn)貨供應商 KIA10N60 PDF下載 10N60參數(shù)配置對比-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-01-17
N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計用于高壓、高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓撲。
2、特征
RD= 0.6@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的44nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
漏源反向電壓（vds)： 600
柵源反向電壓（vgs)：30
漏電流（連續(xù)）:TC=250C
總功耗:TC=25oC、PD=50 W
結溫:TJ+150oC
貯藏溫度~ STG - 55 + 150oC
封裝形式：TO-220F
3、KIA10N06產(chǎn)品規(guī)格
 |
10N60（9.5A 100V） |
| 產(chǎn)品編號 | KIA10N60H |
| 產(chǎn)品工藝 |
10N60 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計用于高壓、高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓撲 |
| 特征 |
RD= 0.6?@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型的44nc） 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
該產(chǎn)品適用于高速開關電源，PWM電機控制，高效率的DC至DC轉換器和橋電路 |
| 封裝形式 | TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA 原廠家 |
| 網(wǎng)址 | m.hgfgfjk.cn |
| PEF總頁數(shù) | 總5頁 |
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