低通濾波器的電路結(jié)構(gòu)中，電容放在輸出端，電感放在輸入端，使電壓相位滯后。（...低通濾波器的電路結(jié)構(gòu)中，電容放在輸出端，電感放在輸入端，使電壓相位滯后。（電容、電阻串聯(lián)） 高通濾波器的電路結(jié)構(gòu)中，電容放在輸入端，電感放在輸出端，使電...
從傳遞函數(shù)的表達(dá)式中也可以看出，當(dāng) s 很小時(shí)，Vo(s)/Vi(s) 的值也很小；當(dāng)s值...從傳遞函數(shù)的表達(dá)式中也可以看出，當(dāng) s 很小時(shí)，Vo(s)/Vi(s) 的值也很小；當(dāng)s值增大，則 Vo(s)/Vi(s)也會增大；當(dāng)s接近于無窮時(shí)，Vo(s)/Vi(s) 約為 AVF；所以為高...
KIA50N03BD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，高...KIA50N03BD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，高密度電池設(shè)計(jì)，具有超低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 6.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，完全表...
因?yàn)樽⑷敕较蚝途A有一定傾角后，注入離子與晶圓內(nèi)部的原子碰撞概率提高，而抑...因?yàn)樽⑷敕较蚝途A有一定傾角后，注入離子與晶圓內(nèi)部的原子碰撞概率提高，而抑制了隧道效應(yīng)的產(chǎn)生。 為什么一定是7°傾角呢？如果傾角過大，帶膠注入時(shí)，離子被...
對于短溝道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距離太近，導(dǎo)致Channel的能帶...對于短溝道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距離太近，導(dǎo)致Channel的能帶被向下拉，因此導(dǎo)致了處于Cut-Off狀態(tài)下的器件leakage會增大（因?yàn)闇系赖膭輭窘档土?..
鋰電池保護(hù)板專用MOS管KNG3703A漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進(jìn)的溝槽...鋰電池保護(hù)板專用MOS管KNG3703A漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，高密度電池設(shè)計(jì)，具有超低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 7.5mΩ，低柵極電荷，最大限...
