電容在電路中可以儲(chǔ)存電能，當(dāng)電路斷開時(shí)，電容可以釋放儲(chǔ)存的電能，為電路提供...電容在電路中可以儲(chǔ)存電能，當(dāng)電路斷開時(shí)，電容可以釋放儲(chǔ)存的電能，為電路提供短暫的能量供應(yīng)。 電容可以對交流信號進(jìn)行濾波，去除信號中的雜波，提高電路的信噪...
有兩個(gè)或多個(gè)輸入端，一個(gè)輸出端。所有輸入端為正（高電平），輸出端為負(fù)（低電...有兩個(gè)或多個(gè)輸入端，一個(gè)輸出端。所有輸入端為正（高電平），輸出端為負(fù)（低電平）。所有輸入端為負(fù)（低電平），輸出端為正（高電平）。當(dāng)有一個(gè)輸入端為負(fù)（低電...
KIA5N50HD?場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=1.0Ω，...KIA5N50HD?場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=1.0Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗以及在峰值電流或脈沖寬度方面...
下圖所示為10MHz低通濾波器，此低通濾波器利用帶寬高達(dá)100MHz的高速電流反饋集...下圖所示為10MHz低通濾波器，此低通濾波器利用帶寬高達(dá)100MHz的高速電流反饋集成運(yùn)放0PA603組成二階巴特沃思低通濾波器灘圖中R1=R2=159Ω ，C1=C2=100pF，其截止頻...
在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三極管相互導(dǎo)通，使得在電源VDD和地VSS之間產(chǎn)...在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三極管相互導(dǎo)通，使得在電源VDD和地VSS之間產(chǎn)生低阻抗通路，從而引發(fā)大電流通過，對芯片造成永久性損壞的風(fēng)險(xiǎn)。這種效應(yīng)通常是由...
kia2906ah場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=5.5mΩ...kia2906ah場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=5.5mΩ，低柵極電荷能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗以及高雪崩耐量，高效穩(wěn)定...
