KNE4603A2是高單元密度溝槽雙N溝道MOSFET，漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A；低導(dǎo)...KNE4603A2是高單元密度溝槽雙N溝道MOSFET，漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A；低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 16mΩ，超低柵極電荷，為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供優(yōu)異的RDSON...
電動(dòng)車控制器通過(guò)PWM脈寬調(diào)制來(lái)調(diào)整輸出電壓的大小，從而控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速。在控...電動(dòng)車控制器通過(guò)PWM脈寬調(diào)制來(lái)調(diào)整輸出電壓的大小，從而控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速。在控制器滿足鎖線電壓和主回路電壓供給整車后，會(huì)進(jìn)行一個(gè)開(kāi)機(jī)自檢的過(guò)程，檢查霍爾、相...
雙向電平轉(zhuǎn)換電路的核心組件是?NMOS?和?上拉電阻?。雙向電平轉(zhuǎn)換電路通過(guò)N...雙向電平轉(zhuǎn)換電路的核心組件是?NMOS?和?上拉電阻?。雙向電平轉(zhuǎn)換電路通過(guò)NMOS的導(dǎo)通與截止實(shí)現(xiàn)不同電壓域信號(hào)的雙向傳輸，利用寄生二極管和上拉電阻完成電平匹...
KIA3510AP場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 9mΩ...KIA3510AP場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 9mΩ，最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗，提高效率；100%單脈沖雪崩能量測(cè)試，高效穩(wěn)定可靠；符合...
Vo輸出電壓增大→TL431參考極電壓增大→TL431陰極與陽(yáng)極壓降降低、電流增大→光...Vo輸出電壓增大→TL431參考極電壓增大→TL431陰極與陽(yáng)極壓降降低、電流增大→光耦初級(jí)電流增大→光耦次級(jí)電流增大→FB腳電壓升高→電源管理芯片降低MOS管的占空比...
由兩個(gè)555構(gòu)成兩個(gè)時(shí)鐘電路，由模十六計(jì)數(shù)器和組合邏輯門(mén)構(gòu)成四種碼產(chǎn)生電路，...由兩個(gè)555構(gòu)成兩個(gè)時(shí)鐘電路，由模十六計(jì)數(shù)器和組合邏輯門(mén)構(gòu)成四種碼產(chǎn)生電路，由雙D觸發(fā)器和數(shù)據(jù)選擇器構(gòu)成開(kāi)關(guān)電路，由移位寄存器和八個(gè)彩燈構(gòu)成輸出電路，一個(gè)時(shí)...
