KPE4403B P溝道場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5A，低導通電阻RDS(on)=40...KPE4403B P溝道場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5A，低導通電阻RDS(on)=40mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗；-5V邏輯電平控制、符合RoHS，高效穩定可靠...
N溝道MOS管是以一個摻入了少量正離子的P型半導體做為襯底，然后在襯底上制作兩...N溝道MOS管是以一個摻入了少量正離子的P型半導體做為襯底，然后在襯底上制作兩個高濃度的N +區作為源極和漏極。隨后，在源極和漏極之間的絕緣層上制作金屬層作為柵...
MOS管結電容，是MOS管在極化時，于柵極與漏極/源極間形成的、能存儲電荷的電容...MOS管結電容，是MOS管在極化時，于柵極與漏極/源極間形成的、能存儲電荷的電容。它作為MOS管的關鍵參數，對管子的動態功耗、響應速度等特性有著決定性影響，
KIA840SB場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導通電阻RDS(on)=0.7Ω，最...KIA840SB場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導通電阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低導通電阻，減少損耗；低柵極電荷、開關速度快，高效可靠；100%雪崩測試...
將輸入的交流電壓通過整流器整流成直流電壓，然后通過濾波器將直流電壓進行濾波...將輸入的交流電壓通過整流器整流成直流電壓，然后通過濾波器將直流電壓進行濾波，以保證輸出電流的穩定性和平滑性。接下來，通過驅動器將直流電壓轉換為適合LED的...
該橋電路由兩個P型場效應管Q2和兩個N型場效應管Q4組成，因此被稱為P-NMOS管H橋...該橋電路由兩個P型場效應管Q2和兩個N型場效應管Q4組成，因此被稱為P-NMOS管H橋。這些場效應管在橋臂上充當開關的角色，其中P型管在柵極電壓為低時導通，高時關閉；...
